肖霞 Rambus近日宣布推出Rambus HBM2E内存接口子系统，该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器，在三星先进的14/11nm FinFET工艺上经过硅验证。通过利用30多年的信号完整性专业知识，Rambus解决方案的运行速度高达3.2Gbps，可提供410GB/s的带宽。这种性能滿足了TB级带宽加速器的需求，此类加速器针对性能要求最为严苛的AI/ML训练和高性能计算（HPC）应用。 三星电子设计平台开发副总裁Jongshin Shin说：“我们与Raanbus的合作将业界领先的内存接口设计专业知识与三星最尖端的工艺和封装技术结合在一起。AI和HPC系统的设计人员可以使用HBM2E内存实现平台设计，利用三星先进的14/11nm工艺，以达到无与伦比的性能水平。” |