本发明公开了一种自抗菌抗静电高安全性瓷抛砖及其制造方法，该瓷抛砖物理结构整体由两个部分组成，一部分是碳化硅微粉、氧化钇微粉构筑的多孔大粒碳化硅陶瓷基体，另一部分是内部均匀混有纳米白云母粉、二氧化硅、竹炭粉末、氧化钛粉末的钠米氧化铝基溶胶填料暨交联单体;两个部分在引发剂柠檬酸铵、交联剂N、N-亚甲基双丙烯酰胺的综合作用下一次性氧化并物理加压烧结而成;该瓷抛砖上表面印有装饰性花纹;瓷抛砖上下表面在距表面0.3 ～ 0.5 mm的浅表层均具有立体方向的压应力微结构。本发明集合了抗静电瓷砖的功能和瓷拋砖的物理及生化特性、构型立体、自抗菌、抗静电、抗产生静电、绿色环保无公害、安全性高。 公布号：CN108752001A |