| 标题 | 新思科技提供运行速度达3.2 Gbps的HBM2E PHY IP核 |
| 范文 | 徐泉 新思科技近日宣布提供运行速度达3.2 Gbps的HBM2E PHY IP核，满足先进图形、高性能计算和网络芯片的高吞吐量要求。通过台积公司CoWoS先进封装技术验证，新思科技DesignWare HBM2E PHY IP核提供符合JEDEC HBM2E SDRAM标准的微凸块阵列，达到最短的2.5D封装路径以及最高的信号完整性。 聚合带宽为409 GBps，HBM2E PHY提供先进的FinFET工艺芯片所需的海量计算性能。HBM2E IP核是新思科技包括DDR5/4/3/2和LPDDR5/4/3/2 IP核在内的全面内存接口IP核解决方案的一部分，这些解决方案已在数百个设计方案中得到了充分验证，并在数百万个芯片中使用。 SK海力士HBM事业部高级副总裁、DRAM设计负责人Jun Hyun Chun表示：“作為一家全球领先的半导体生产商，SK海力士大力投资开发强大的DRAM，以期提供更高的容量和处理速度，同时保持严格的质量控制。我们持续与新思科技合作，为客户提供经过充分测试，并与DesignWare HBM2E IP核具有互操作性的高性能HBM DRAM解决方案，提供先进工艺中计算密集型芯片所需的容量、吞吐量和功率。” 台积公司设计基础架构市场事业部资深总监Suk Lee表示：“双方长期成功合作为共同客户提供了获取基于台积公司先进工艺高品质DesignWare IP核的机会，广泛应用于高性能芯片的应用中。台积公司行业领先的7纳米工艺和CoWoS封装技术与新思科技经验证DesignWare HBM2E IP核相结合，使开发者能够以更高的产量实现更快从验证到封装的生产过程，同时将集成风险降到最低。” |
| 随便看 |
|
科学优质学术资源、百科知识分享平台，免费提供知识科普、生活经验分享、中外学术论文、各类范文、学术文献、教学资料、学术期刊、会议、报纸、杂志、工具书等各类资源检索、在线阅读和软件app下载服务。