国家产品标准GB/T2881-2014《工业硅》中规定，检测工业硅中杂质元素采用电感耦合等离子体发射光谱仪测定。本实验参照标准GB/T14849.4-2014《工业硅化学分析方法第四部分：杂质元素含量测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》测定工业硅中铝、铬、钙、硼、铜、铁、镁、镍、锰、磷、钠、钛的元素含量。对工业硅样品进行对比测试，检测结果与客户化学法基本一致。 仪器特点 Plasma3000型和Plasma2000型电感耦合等离子体发射光谱仪（钢研纳克检测技术股份有限公司）是使用方便、操作简单、测试快速的全谱ICP-OES分析仪，具有良好的分析精度和稳定性。 Plasma3000 高效固态射频发生器，超高稳定光源; 大面积背照式CCD芯片，宽动态范围; 中阶梯光栅与棱镜交叉色散结构，体积小巧; 多元素同时分析，全谱瞬态直读。 多种进样系统，可选择性好; 垂直炬管，双向观测，检出限更加理想; Plasma2000 高效固态射频发生器，超高穩定光源; 大面积背照式CCD芯片，宽动态范围; 中阶梯光栅与棱镜交叉色散结构，体积小巧; 多元素同时分析，全谱瞬态直读; 多种进样系统，可选择性好; 垂直炬管水平观测，耐盐性更佳。 使用Plasma3000和Plasma2000能够很好的解决工业硅中杂质元素分析问题，完全满足国家标准GB/T2881-2014《工业硅》和GB/T14849.4-2014《工业硅化学分析方法第四部分：杂质元素含量测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》要求。 |