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标题 关于LED器件特性研究的一次实验综述
范文

    张海霞  江霞

    摘 要:分析不同颜色的LED灯(1)谱形和电流之间的关系,(2)色度参数和光度参数的变化规律;实验环境:室温;实验器材:PMS-50紫外-可见-近红外光谱分析系统(增强型),以及五种颜色的LED;结果LED的光谱特性及色度、光度等参数与所施加的正向电流具有非常密切的关系。

    关键词:LED;电流;半峰宽峰值;波长;色品;坐标;色温;光通量;光效

    1 本实验基于发光二极管p-n结原理展开

    LED核心部分为一相对稳定的电致发光结构,在这一结构内部有一个复合区,这个复合区能够形成辐射,该辐射含有两种不同导电类型(p型和n型)区,这两个区域提供了参与复合作用的载流子。从其核心设计来看,该结构基于p-n同质结。所谓p-n同质结是指p、n系同种材料的半导体,p型与n型接触的部分(即"结")附近则为形成辐射的复合区。

    图1为一p-n结的能带示意图。如图1(a),当p型和n型两种半导体材料紧密接触,在接触界面,载流子浓度形成梯度,浓度梯度促成载流子进行不间断的扩散运动,运动方向基于梯度,n区中的(多数)载流子电子从n区至p区扩散,而p区中的(多数)载流子空穴则从p区向n区扩散。其结果,如图1(b),就是p区和n区接触界面处形成空间电荷区,形成了自建电场。自建电场产生电磁作用,又同时促成载流子进行漂移运动。如此,在扩散运动不断增强的作用下,其自建电场具有不断增大的势头,自建电场不断扩大的趋势又持续加剧载流子的漂移运动,而漂移运动又会反过来导致自建电场的减小。因此,在扩散运动和漂移运动达到平衡时,载流子扩散电流与漂移电流相等。

    2 实验综述

    2.1 实验准备

    (1)实验环境

    本实验均在室温下进行。

    (2)实验设备、仪器的准备

    实验测试仪器:PMS-50(增强型)紫外-可见-近红外光谱分析系统。

    实验材料:五种颜色(蓝、绿、白、红、黄)LED,在小功率器件(芯片尺寸为300μm×300μm)、中功率器件 (芯片尺寸为1mm×0.5mm)、大功率器件(其中白光有冷、暖两种型号)(芯片尺寸为1mm×1mm)。实验需要测试室温下不同工作电流的光谱特性。

    本实验中,所用红光、黄光LED是AlGaInP基LED;蓝光、绿光LED是InGaN基LED;白光LED则由蓝光LED加黄色荧光粉激发所得;冷白光和暖白光根据所加荧光粉的比例而得。

    实验测试参数:(1)相对光谱功率分布 P(λ) ;(2)色度参数:色品坐标,显色指数,色温,主波长,峰值波长,半宽度,色纯度;(3)光度参数:光效,光通量;(4)其他参数:实验环境及倍增管工作温度。

    2.2 实验过程及相关测试数据综述(表1)

    3 实验结论

    实验数据表明,LED的有关物理特性与相关参数如:光谱特性、光度、色度参数等与外界所施加的电流有着极为密切的关系。

    (1)LED的光谱特性、光度、色度参数与其自身的颜色和功率无关

    如表1所示,其相关参数指标都与外界施加电流的变化而随之发生变化,随着外界电流的增大,相关参数呈先增大后减小的变化状态。究其原因,开始载流子注入是比较少的,从而辐射复合几率相对较小,载流子量注入逐渐增大,随之,辐射复合几率也变大。随着载流子注入的增大,总强度、峰高、光效等参数指标逐步增大;但随着载流子注入进一步增大时,非辐射复合几率又增加,相关参数指标又随之减少,所以呈现先增大后减小。

    (2)基于不同结构的LED具有相异的构造和工作机理,因此其能带带隙及量子阱深浅也不很大的不同。(表2)

    (3)基于相同结构的LED,由于不同组分,相关参数数据的变化也不相同。(表3)

    (4)同样的LED,测试环境相同的情况下,功率改变会引起各相关参数指标的改变。

    如表1、2、3所示,绝大多数测量结果都显示出,随着功率增大,示数变大。但实验数据表明也有例外:当LED小功率时,峰值、波长、半高宽、显色指数等参数指标最大;在中功率时,绿、白光LED色温最大;光效最大值一般出现在中功率时,但绿光LED大功率时出现,属于例外。

    (5)白光LED性能特性(表4、表5)

    4 小结

    LED是一种较为典型的电致发光器件。如图1中,电子与空穴辐射复合时,产生能量,并以光子形式发出。因此外界电流的注入对LED器件各项具体特性有着直接的影响。本实验测量、分析了蓝、绿、白、红、黄五种颜色LED的光谱特性、色度参数、光度参数,进一步明晰了各种功率、颜色LED器件的特性,有利于更深刻的理解和认识LED的发光机理及半导体P-N结的内在机理。

    参考文献:

    [1]余金中.半导体光电子技术[M].北京:化学工业出版社,2003.

    [2][美]施敏.半导体器件物理与工艺[M].赵鹤鸣,钱敏,黄秋萍译.苏州:苏州大学出版社,2002.

    [3]陈元灯.LED制造技术与应用[M].北京:电子工业出版社,2007.

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更新时间:2024/12/22 19:39:53