满旭 鲍妮 张家斌 郝永芹 李洋 贾慧民 马晓辉
摘 要：利用感应耦合等离子体（ICP）技术在Ar/SF6环境下对SiO2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蝕气体比例，获得了较高的刻蚀速率（104nm/min），并对SiO2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。
关键词：感应耦合等离子体（ICP）；Ar /SF6；刻蚀速率
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- vacillating
- vacillatingly
- vacillation
- vacillator
- vacillators
- vacillatory
- vaclilates
- vacuolated
- vacuole
- vacuoles
- vacuolization
- uneffaceable
- uneffaced
- uneffected
- uneffectible
- uneffective
- uneffectively
- uneffectiveness
- uneffectivenesses
- uneffeminate
- uneffeminately
- uneffervescent
- uneffervescently
- unefficient
- uneffusive
- 没有一点儿可以肯定的地方
- 没有一点儿对的或好的地方
- 没有一点儿热乎劲儿
- 没有一点声音
- 没有一点头绪
- 没有一点宽容
- 没有一点差错
- 没有一点差错，非常准确
- 没有一点怨言
- 没有一点情义
- 没有一点收获
- 没有一点消息
- 没有一点神气
- 没有一点空闲的时候
- 没有一点见解和主张
- 没有一粒谷，哪来一仓粮
- 没有一粒谷，那来一仓粮
- 没有三分利，谁肯起五更
- 没有上不去的涯
- 没有上学的待业青年
- 没有上过笼头的马——撒野惯了
- 没有下唇，就不该揽着箫吹
- 没有下嘴唇，别去找箫吹
- 没有下手处
- 没有不上竿的猴